Quelle est la méthode la plus utilisée pour fabriquer le silicium monocristallin destiné aux LSI ?

Réponse : A. Méthode de Czochralski (méthode CZ)

Dans la méthode CZ, un germe est plongé dans du silicium fondu à plus d'environ 1420 ℃ dans un creuset en quartz, puis tiré lentement en rotation à une vitesse de quelques cm par heure, pour obtenir un lingot monocristallin d'environ 300 mm de diamètre, 2 m de long et plusieurs centaines de kg. Elle se prête aux grands diamètres et à la production de masse, et la majeure partie des wafers pour LSI est fabriquée ainsi. Elle a été imaginée en 1916 par le Polonais Czochralski comme méthode de croissance de cristaux métalliques.