Plaquettes de silicium
Lors du tirage CZ d'un cristal dopé, la concentration de dopant tend à augmenter vers le bas du cristal (seconde moitié du tirage). Quelle en est la raison ?
- ALes impuretés descendent sous l'effet de la gravité
- BLa plupart des dopants ont un coefficient de ségrégation inférieur à 1, et les dopants peu incorporés dans le cristal se concentrent dans le bain
- CLa température est plus basse dans la seconde moitié du tirage
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Réponse : B. La plupart des dopants ont un coefficient de ségrégation inférieur à 1, et les dopants peu incorporés dans le cristal se concentrent dans le bain
Lors de la solidification, la plupart des impuretés sont peu incorporées dans le cristal (coefficient de ségrégation k < 1) et restent dans le bain. Par exemple, k ≈ 0.35 pour le phosphore, environ 0.3 pour l'arsenic et environ 0.023 pour l'antimoine. La concentration dans le bain augmentant au fil du tirage, la seconde moitié du cristal présente une concentration plus élevée et une résistivité plus faible. Ainsi, seule la partie d'un lingot dont la résistivité est dans la spécification devient produit, et le bore, peu ségrégé, est un dopant facile à uniformiser.