離子佈植後退火的初期,因佈植產生過量的間隙矽,使硼等的擴散暫時變快的現象。會妨礙淺接面的形成。
日文名稱: 過渡増速拡散(TED)
這個名詞所屬的領域: 離子佈植
尖峰退火 佈植劑量 投影射程 固溶度 法拉第杯 退火 逆向摻雜井 通道效應(Channeling) 暈環佈植(口袋佈植) 雷射退火
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