TDDB(経時絶縁破壊)とは

解説の中の「TDDB(経時絶縁破壊)」

• TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)は、絶縁破壊を起こさない程度の電界でも、長時間加え続けると絶縁膜中に欠陥が少しずつ生じ、やがて破壊に至る現象です。

  TDDB(経時絶縁破壊)の説明として正しいものはどれか。

• 実際の使用電圧では、TDDBによる故障が起こるまでに何年もかかります。

  TDDBの寿命評価で、実際の使用電圧より高い電圧をかけて試験する理由として正しいものはどれか。

• 定格内でも長時間の電圧で劣化するTDDBも信頼性の課題です。

  MOSFETのゲート-ソース間に、定格を大きく超える電圧を加えたときに起こりうる破壊はどれか。

「TDDB(経時絶縁破壊)」が出てくる問題(6問)

1. TDDB(経時絶縁破壊)の説明として正しいものはどれか。
2. TDDBの寿命評価で、実際の使用電圧より高い電圧をかけて試験する理由として正しいものはどれか。
3. TDDBの試験結果を使用電圧に外挿するときのモデルとして、寿命を電界に対して指数関数で表すEモデルと、電界の逆数に対して指数関数で表す1/Eモデルがある。両者の違いについて正しいものはどれか。
4. MOSFETのゲート-ソース間に、定格を大きく超える電圧を加えたときに起こりうる破壊はどれか。
5. 良質な熱酸化膜(SiO2)の絶縁破壊電界の目安として正しいものはどれか。
6. 配線どうしの間隔が狭くなることで重要性が増している、配線間の絶縁膜の経時的な絶縁破壊を何と呼ぶか。

関連する用語

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