酸化・拡散

良質な熱酸化膜(SiO2)の絶縁破壊電界の目安として正しいものはどれか。

  1. A約10 MV/cm
  2. B約10 V/cm
  3. C約10 kV/cm
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正解：A. 約10 MV/cm

良質な熱酸化膜の絶縁破壊電界は約10 MV/cmです。例えば厚さ10 nmの酸化膜なら、約10 Vで破壊する計算になります。実際のデバイスでは、長期の信頼性を確保するため、これよりかなり低い電界で使います。

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