什麼是TDDB(經時介電崩潰)

對絕緣膜持續施加電壓，即使低於崩潰電壓，最終仍會發生絕緣崩潰的現象。用於評估閘極氧化膜等的壽命。

日文名稱: TDDB(経時絶縁破壊)

「TDDB(經時介電崩潰)」出現在1領域的1道練習題中（氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: 可靠度

練習TDDB(經時介電崩潰)的題目

優質熱氧化層（SiO2）的介電崩潰電場的大致標準，下列何者正確？

  1. A約 10 MV/cm
  2. B約 10 V/cm
  3. C約 10 kV/cm
查看答案與解析

正確答案：A. 約 10 MV/cm

優質熱氧化層的介電崩潰電場約為 10 MV/cm，若厚度為 10 nm，計算上約在 10 V 時崩潰。不過，即使電場低於此值，長時間施加也會逐漸產生缺陷而導致崩潰（經時介電崩潰，TDDB），因此實際元件為了能使用 10 年，會在數 MV/cm 以下使用。膜更薄時穿隧電流會變大，所以在崩潰之前，漏電就會先成為問題。

解析中的「TDDB(經時介電崩潰)」

出現「TDDB(經時介電崩潰)」的題目（1題）

  1. 優質熱氧化層（SiO2）的介電崩潰電場的大致標準，下列何者正確？

相關名詞

熱氧化 阿瑞尼斯模型 閂鎖效應 韋伯分布 浴缸曲線 軟錯誤 電遷移 熱載子注入(HCI) ESD(靜電放電) FIT(失效率單位)

前往名詞解釋列表