什麼是隨機摻雜物波動(RDF)

在微細電晶體中，因通道內雜質原子的數量與位置的統計性差異，造成臨界電壓不一致的現象。可在FinFET或FD-SOI這類能把通道做成低濃度的結構中抑制。

日文名稱: ランダムドーパントゆらぎ(RDF)

「隨機摻雜物波動(RDF)」出現在1領域的1道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）

練習隨機摻雜物波動(RDF)的題目

下列關於完全空乏型 SOI（FD-SOI）電晶體之優點，何者正確？

  1. A可將矽層加厚，並摻入大量雜質
  2. B不再需要閘極電極
  3. C通道的雜質可以減少，能抑制臨界電壓的變異，並容易以基板偏壓調整臨界電壓
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正確答案：C. 通道的雜質可以減少，能抑制臨界電壓的變異，並容易以基板偏壓調整臨界電壓

在 FD-SOI 中，厚度約 5～7 nm 的極薄矽層整體都會空乏，因此即使不在通道中摻入雜質也能抑制短通道效應，並減少隨機摻雜物波動所造成的變異。再者，若透過薄的埋入氧化膜（約 20 nm）從基板側施加電壓，就能動態改變臨界電壓，用於低電壓、低功耗的 IoT、車用與 RF 用途。

解析中的「隨機摻雜物波動(RDF)」

出現「隨機摻雜物波動(RDF)」的題目（1題）

  1. 下列關於完全空乏型 SOI（FD-SOI）電晶體之優點，何者正確？

相關名詞

FD-SOI(全空乏型SOI) 短通道效應 臨界電壓 奈米片 後閘極製程(取代式金屬閘極) CFET(互補式場效電晶體) DTCO(設計與技術協同最佳化) EOT(等效氧化層厚度) FinFET(鰭式場效電晶體) GAA(環繞式閘極)

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