エピタキシャル成長

MBEで、成長中の表面に電子線を浅い角度で当て、その回折像から成長の様子をその場で観察する手法はどれか。

  1. ASIMS
  2. BRHEED(反射高速電子回折)
  3. CXPS
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正解:B. RHEED(反射高速電子回折)

RHEEDは、成長中の表面に高速の電子線をすれすれに当て、回折パターンを蛍光スクリーンで観察する手法です。表面の平坦さや結晶構造がわかり、1原子層ずつ成長するたびに強度が振動するため、成長した層の数をその場で数えることもできます。超高真空のMBEならではの観察方法です。

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