MBE(分子線エピタキシー)란?

えむびーいー

超高真空中で、原料を分子線として基板に供給してエピタキシャル成長させる方法。膜厚や組成を原子層レベルで精密に制御でき、化合物半導体の研究や量子構造の作製に使われる。

일본어 명칭: MBE(分子線エピタキシー)

분야: 에피택셜 성장

관련 용어

4H-SiC 格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MOCVD(有機金属気相成長)

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