効率ドループとは
こうりつどるーぷ
InGaN系のLEDで、電流を大きくすると発光効率がかえって下がる現象。オージェ再結合などが原因と考えられている。
この用語の分野: 化合物半導体
こうりつどるーぷ
InGaN系のLEDで、電流を大きくすると発光効率がかえって下がる現象。オージェ再結合などが原因と考えられている。
この用語の分野: 化合物半導体
これが効率ドループで、キャリア密度の3乗で効くオージェ再結合や、電子が活性層を飛び越えて漏れることが主な原因と考えられています。
InGaN系のLEDで、電流を大きくすると発光効率がかえって下がる現象を何と呼ぶか。オージェ再結合 ウルツ鉱型構造 MMIC GaAs(ガリウムヒ素) 混晶半導体 Ga2O3(酸化ガリウム) III-V族化合物半導体 GaN(窒化ガリウム) 直接遷移型 2次元電子ガス(2DEG)