III-V族化合物半導体란?
さんごぞくかごうぶつはんどうたい
III族元素(Ga、In、Alなど)とV族元素(As、P、Nなど)からなる半導体。GaAs、InP、GaNなど。
일본어 명칭: III-V族化合物半導体
분야: 화합물 반도체
관련 용어
2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体 効率ドループ Ga2O3(酸化ガリウム) GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) InP(リン化インジウム)
さんごぞくかごうぶつはんどうたい
III族元素(Ga、In、Alなど)とV族元素(As、P、Nなど)からなる半導体。GaAs、InP、GaNなど。
일본어 명칭: III-V族化合物半導体
분야: 화합물 반도체
2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体 効率ドループ Ga2O3(酸化ガリウム) GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) InP(リン化インジウム)