将来のnMOSのチャネル材料として、InGaAsなどのIII-V族化合物半導体が研究されてきた主な理由はどれか。

正解：B. 電子の移動度がシリコンよりはるかに大きいため

InGaAsなどのIII-V族化合物半導体は、電子の移動度がシリコンの数倍以上と大きく、低い電圧でも大きな電流を流せると期待されてきました。一方で、シリコン基板上への結晶成長、ゲート絶縁膜との界面、正孔の移動度の低さ、コストなど、実用化には多くの課題があります。

• A. 化合物半導体はシリコンより製造コストが高くなりがちです。
• B. 正しい。電子の移動度が非常に大きいことが理由です。
• C. InGaAsのバンドギャップはシリコンより小さく、リークは増えやすい方向です。