Nederlands
Menu

Etsen

Hoe heet het proces waarbij fotoresist met bijvoorbeeld zuurstofplasma wordt verast en verwijderd?

  1. AAshing
  2. BAnnealen
  3. CDicing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ashing

Ashing is het proces waarbij de organische stof van de resist met bijvoorbeeld zuurstofplasma wordt geoxideerd en als CO2 en H2O wordt verwijderd; de naam komt van het tot as (ash) maken. Het wordt uitgevoerd om resist te verwijderen die klaar is met zijn taak als masker voor etsen of ionenimplantatie, waarna residuen met chemisch reinigen worden verwijderd. Om schade te voorkomen worden vaak methoden gebruikt waarbij alleen radicalen op de wafer worden gericht, en op Low-k-films wordt in plaats van zuurstof een plasma op waterstofbasis gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van atoomlaagetsen (ALE) is juist?
  2. Welk mechanisme waarmee bij droog etsen anisotropie wordt verkregen is juist?
  3. Welke chemische oplossing wordt over het algemeen gebruikt voor het nat etsen van siliciumnitridefilms?
  4. Hoe heet het verschijnsel dat bij plasma-etsen een geleider zoals een lange bedrading als antenne fungeert, lading verzamelt en daarmee het aangesloten gateoxide beschadigt?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van nat etsen van silicium met een waterige oplossing van kaliumhydroxide (KOH) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp