Nederlands
Menu

Etsen

Hoe heet een masker van bijvoorbeeld nitride- of koolstoffilm dat wordt gebruikt wanneer fotoresist alleen niet als masker volstaat, zoals bij het etsen van diepe gaten?

  1. APellicle
  2. BFasenverschuivingsmasker
  3. CHardmask
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Hardmask

Bij diepe bewerkingen verdwijnt een resist van circa 100 nm dik halverwege, dus het resistpatroon wordt eerst overgebracht op een film van bijvoorbeeld nitride, oxide of amorfe koolstof, en die wordt als masker gebruikt om de eigenlijke film te etsen. Zo'n masker van anorganische film e.d. is een hardmask. Voor het etsen van diepe gaten in 3D NAND wordt een hardmask van amorfe koolstof van enkele µm dik gebruikt, en de afzetting en verwijdering daarvan zijn ook belangrijke processtappen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van etsen van het downflow-type, waarbij alleen in het plasma gevormde radicalen aan de wafer worden toegevoerd, is juist?
  2. Welk voorbeeld van een vormafwijking die bij etsen met hoge aspectverhouding voorkomt, is juist?
  3. Wat is de selectiviteit ten opzichte van het masker als de etssnelheid van oxide 100 nm/min is en het masker met 20 nm/min wordt aangetast?
  4. Welke oplossing, een met ammoniumfluoride gebufferd fluorwaterstofzuur, wordt gebruikt voor het nat etsen van SiO2?
  5. Welke reden waarom etsen met de wafer op zeer lage temperatuur (cryogeen) aandacht krijgt voor bewerkingen met hoge aspectverhouding is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp