Hard masker van bijvoorbeeld nitride, koolstof of metaal, gebruikt wanneer fotoresist alleen niet voldoende standhoudt als masker, zoals bij het etsen van diepe gaten.
Japanse benaming: ハードマスク
“Hardmask” komt voor in 3 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Etsen, Interconnectprocessen.
Vakgebied: Etsen
Antwoord: C. Hardmask
Bij diepe bewerkingen verdwijnt een resist van circa 100 nm dik halverwege, dus het resistpatroon wordt eerst overgebracht op een film van bijvoorbeeld nitride, oxide of amorfe koolstof, en die wordt als masker gebruikt om de eigenlijke film te etsen. Zo'n masker van anorganische film e.d. is een hardmask. Voor het etsen van diepe gaten in 3D NAND wordt een hardmask van amorfe koolstof van enkele µm dik gebruikt, en de afzetting en verwijdering daarvan zijn ook belangrijke processtappen.
Antwoord: B. 5
Selectiviteit is 'snelheid van de te etsen film ÷ snelheid van het masker (of de ondergrond)', dus 100 ÷ 20 = 5. Bij het etsen van 500 nm oxide wordt het masker 100 nm aangetast, en rekening houdend met overetsen en vormverlies moet het masker minstens circa 150 tot 200 nm dik zijn. Is de selectiviteit onvoldoende, dan wordt het masker dikker gemaakt of wordt overgeschakeld op een hardmask.
is een hardmask.
Hoe heet een masker van bijvoorbeeld nitride- of koolstoffi…Is de selectiviteit onvoldoende, dan wordt het masker dikker gemaakt of wordt overgeschakeld op een hardmask.
Wat is de selectiviteit ten opzichte van het masker als de …Bij een self-aligned via wordt de hardmask waarmee de bedradingssleuf is bewerkt behouden of wordt boven op de bedrading een laag van een ander materiaal aangebracht, zodat het etsen van het via beperkt blijft tot de breedte van de beoogde bedrading en ook bij een positiefout geen verbinding met de naburige bedrading ontstaat.
Welke techniek vormt het via zelfuitgelijnd op de bedrading…Fotoresist 3D NAND Selectiviteit Overetsen Via ALE (atomic layer etching) Anisotroop etsen Antenne-effect ARDE (aspect-ratio-afhankelijk etsen) Ashing