Laagafzetting (CVD, PVD)

Wat is het belangrijkste doel van densificatie, het na de depositie bij hoge temperatuur uitgloeien van oxidelagen die bij lage temperatuur met CVD zijn afgezet?

  1. ADe laag dikker maken
  2. BDe laag geleidend maken
  3. CDe laag verdichten en vocht verdrijven, zodat etssnelheid en elektrische eigenschappen dichter bij die van thermisch oxide komen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De laag verdichten en vocht verdrijven, zodat etssnelheid en elektrische eigenschappen dichter bij die van thermisch oxide komen

Oxidelagen die bij lage temperatuur zijn afgezet, hebben veel ruimten en bevatten water, waterstof en Si-OH-bindingen, waardoor ze snel etsen in fluorwaterstofzuur en een slechtere isolatie hebben. Bij een warmtebehandeling van circa 600 tot 1000 °C krimpt de laag enkele procenten, ontwijken de aanwezige onzuiverheden en komen etssnelheid en elektrische eigenschappen dichter bij die van thermisch oxide. In processen met een strikt thermisch budget kan de temperatuur van densificatie niet worden verhoogd, en wordt plasmabehandeling of UV-bestraling als alternatief gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Hoe heet het temperatuurbereik waarin bij ALD de laagdikte per cyclus constant is door zelfbeperkende oppervlaktereacties?
  2. Welk voordeel heeft sputteren ten opzichte van vacuümopdampen?
  3. Welk type CVD-apparaat verhit alleen de tafel waarop de wafer ligt en houdt de wand van de reactor koud?
  4. Welke combinatie van bronnen wordt bijvoorbeeld gebruikt bij het afzetten van een HfO2-gate-isolatielaag met ALD?
  5. Welk model beschrijft, afhankelijk van temperatuur en gasdruk, dat een door sputteren afgezette metaallaag bij lage depositietemperatuur gemakkelijk een structuur van kolomvormige korrels met veel tussenruimten krijgt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp