Valeur qui exprime l'étendue angulaire de la lumière qu'une lentille peut collecter. Plus elle est grande, plus la résolution est élevée.
Nom japonais: 開口数(NA)
« Ouverture numérique (NA) » apparaît dans 22 questions d'entraînement réparties sur 9 thèmes, dont Lithographie, Jonction PN et diodes, MOSFET.
Domaine: Lithographie
Réponse : A. La capacité de diffusion
En polarisation directe, des porteurs minoritaires sont injectés et stockés de part et d'autre de la jonction ; leur quantité variant avec la tension, ils se comportent comme une capacité. C'est la capacité de diffusion, à peu près proportionnelle au courant (Cd ≈ τI/(nkT/q)), qui peut atteindre plusieurs nF à fort courant. En polarisation inverse domine la capacité de jonction due à la zone de déplétion. La capacité de diffusion limite le fonctionnement rapide des diodes et des transistors bipolaires.
Réponse : A. Raccourcir la longueur d'onde d'exposition et augmenter l'ouverture numérique (NA)
D'après le critère de Rayleigh R = k1·λ/NA, pour réduire R, on raccourcit la longueur d'onde λ, on augmente l'ouverture numérique NA et on abaisse k1. Les sources sont passées par la raie g (436 nm), la raie i (365 nm), le KrF (248 nm), l'ArF (193 nm) puis l'EUV (13,5 nm), et la NA est passée d'environ 0,3 à 1,35 en immersion. Par exemple, en ArF à immersion (NA 1,35, k1 0,27), R ≈ 39 nm ; un pas plus fin exige le multipatterning ou l'EUV.
D'après le critère de Rayleigh R = k1·λ/NA, pour réduire R, on raccourcit la longueur d'onde λ, on augmente l'ouverture numérique NA et on abaisse k1.
D'après la formule de résolution R = k1 × λ / NA, quelle mé…La profondeur de champ vaut DOF = k2·λ/NA² ; inversement proportionnelle au carré de la NA, elle diminue rapidement lorsque la NA augmente.
Lorsqu'on augmente l'ouverture numérique (NA) d'un équipeme…L'ouverture numérique des équipements EUV classiques est de 0,33 ; le High-NA EUV la porte à 0,55, améliorant la résolution d'environ 1,7 fois et permettant d'exposer en une fois des motifs au pas de l'ordre de 20 nm bas.
Quelle caractéristique du « High-NA EUV », développé comme …Avec une grande NA, l'angle d'incidence de la lumière sur le wafer devient grand (environ 70° dans l'eau pour une NA de 1,35).
En lithographie à immersion à très grande ouverture numériq…De part et d'autre de la zone de déplétion, les quantités de charge des impuretés ionisées sont égales (NA·xp = ND·xn).
Dans une jonction PN dont le côté p est beaucoup plus dopé …GPU Mémoire partagée (shared memory) Zone de déplétion (zone de charge d'espace) Profondeur de champ (DOF) Lithographie EUV Lithographie à immersion Découpe (dicing) Attention Polarisation directe Capacité de diffusion