Niet-vluchtig geheugen dat informatie opslaat via het weerstandsverschil dat afhangt van de magnetisatierichting van een magnetische tunnelovergang (MTJ).
Japanse benaming: MRAM
“MRAM” komt voor in 19 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën, SRAM en flashgeheugen.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: A. Het weerstandsverschil door de magnetisatierichting van een magnetische tunneljunctie (MTJ)
MRAM gebruikt een magnetische tunneljunctie (MTJ), waarbij twee magnetische lagen een isolerende laag van circa 1 nm dik insluiten. Door het tunnelmagnetoweerstandseffect is de weerstand laag bij parallelle en hoog bij antiparallelle magnetisatie, waarmee 0 en 1 worden onderscheiden. De magnetisatie blijft zonder voeding behouden, dus het geheugen is niet-vluchtig. Sterke punten zijn de vrijwel onbeperkte schrijfendurance en de hoge snelheid. Het weerstandsverschil tussen kristallijn en amorf wordt gebruikt in faseveranderingsgeheugen, en lading in DRAM.
Antwoord: C. Het aantal herschrijfcycli is zeer groot en het schrijven is snel
MRAM slaat op via de magnetisatierichting en heeft daardoor veel meer herschrijfcycli (10¹⁰ of meer) dan flash, waarbij het oxide degradeert. Het schrijven is met enkele tot enkele tientallen ns snel en een wisprocedure is niet nodig. MRAM wordt daarom steeds vaker gebruikt als embedded geheugen in microcontrollers en voertuigsystemen en voor toepassingen met veelvuldige gegevensregistratie. Doordat de cel groot is en niet kan worden gestapeld, haalt MRAM qua capaciteit en prijs per bit NAND-flash echter bij lange na niet.
MRAM gebruikt een magnetische tunneljunctie (MTJ), waarbij twee magnetische lagen een isolerende laag van circa 1 nm dik insluiten.
Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?MRAM slaat op via de magnetisatierichting en heeft daardoor veel meer herschrijfcycli (10¹⁰ of meer) dan flash, waarbij het oxide degradeert.
Welke uitspraak over een algemeen voordeel van MRAM ten opz…Deze techniek, in 2004 afzonderlijk gepubliceerd door het Japanse AIST en IBM, vergrootte het weerstandsverschil tussen 0 en 1, maakte hogere capaciteiten van HDD-leeskoppen mogelijk en leidde ook tot de praktische toepassing van MRAM.
Welk materiaal wordt veel gebruikt als tunnelbarrièrelaag i…MRAM kan met de MTJ halverwege het back-end-of-line-proces worden gemaakt en vergt slechts enkele extra maskers, waardoor foundry's zoals TSMC en Samsung embedded MRAM aanbieden op 22 nm en kleiner.
Welke reden waarom MRAM aandacht krijgt als embedded niet-v…Bij het uitlezen van MRAM wordt door de MTJ een kleinere stroom gestuurd dan bij het schrijven.
Welke uitspraak over het uitlezen van gegevens uit MRAM is …Magnetische tunnelovergang (MTJ) Via Numerieke apertuur (NA) TMR-verhouding Niet-vluchtig geheugen FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) ReRAM (resistief geheugen) High-k/metal gate PCM (phase-change memory) Foundry