MOSFET

Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?

  1. ADe effectieve kanaallengte is korter dan de gatelengte met de mate waarin source en drain zich zijdelings onder de gate hebben uitgebreid
  2. BDe effectieve kanaallengte is altijd langer dan de gatelengte
  3. CDe effectieve kanaallengte en de gatelengte zijn altijd volkomen gelijk
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De effectieve kanaallengte is korter dan de gatelengte met de mate waarin source en drain zich zijdelings onder de gate hebben uitgebreid

Omdat onzuiverheden van source en drain zich door implantatie en warmtebehandeling een beetje zijdelings tot onder de gate-elektrode uitbreiden, is de effectieve kanaallengte aan beide zijden met de overlap korter dan de gatelengte. Het overlapgedeelte wordt de overlapcapaciteit tussen gate en source/drain en vergroot via het Miller-effect de vertraging. Bij geavanceerde generaties wordt de warmtebehandeling zeer kort gemaakt (milliseconde-anneal) om de uitbreiding te onderdrukken. Merk op dat generatienamen zoals '3 nm' niet overeenkomen met de werkelijke gatelengte.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?
  2. Hoe hoog stijgt de uitgangsspanning ongeveer in een pass-transistor (schakelaar) met slechts één nMOSFET, wanneer de gate op de voedingsspanning VDD staat en VDD van de ingang naar de uitgang wordt doorgegeven?
  3. Hoe heet bij een CMOS-inverter de stroom die van de voeding naar de aarde loopt terwijl de ingang omschakelt?
  4. Welke uitleg over de temperatuurafhankelijkheid van de aan-weerstand is juist als reden dat het gemakkelijk is meerdere vermogens-MOSFET's parallel te schakelen?
  5. Welke uitspraak is juist over de schalingswet van Dennard (constant-veldschaling) wanneer afmetingen en spanning elk met 1/k worden verkleind?

Vergelijkingen bij dit onderwerp