Opkomende geheugentechnologieën

Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?

  1. AMRAM
  2. BDRAM
  3. CSRAM
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. MRAM

MRAM slaat op via de magnetisatierichting van een magnetisch materiaal en is dus een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook zonder voeding behouden blijven; de retentietijd bedraagt doorgaans 10 jaar of meer. DRAM en SRAM zijn beide vluchtige geheugens waarvan de gegevens verloren gaan zodra de voeding wordt uitgeschakeld. MRAM combineert niet-vluchtigheid met een snelheid die dicht bij SRAM ligt en wordt daarom gewaardeerd in zuinige systemen waarvan de voeding vaak wordt uitgeschakeld en in industriële apparatuur waarvan de gegevens bij stroomuitval beschermd moeten blijven.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Waar staat de 'M' in MRAM voor?
  2. Welke uitspraak over het idee van het 'universele geheugen', waarop veel onderzoek en ontwikkeling van geheugens van de volgende generatie is gericht, is juist?
  3. Waar staat de 'Fe' in FeRAM voor?
  4. Hoe heet de structuur, waarbij twee magnetische lagen een dunne isolerende laag insluiten, die in MRAM als element voor het opslaan van 1 bit wordt gebruikt?
  5. Welke uitspraak over de tunnelmagnetoweerstandsverhouding (TMR-verhouding) van een MTJ is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp