CVD utilisant un plasma haute densité, qui dépose tout en érodant par pulvérisation ionique le film à l'entrée des tranchées. Elle a été utilisée pour remplir d'isolant les tranchées étroites en limitant les vides.
Nom japonais: HDP-CVD(高密度プラズマCVD)
« HDP-CVD (CVD par plasma haute densité) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : A. Parce qu'il érode simultanément par pulvérisation ionique le film à l'ouverture, ce qui limite les cavités
Avec un CVD ordinaire, le remplissage d'une tranchée étroite épaissit le film aux angles de l'ouverture, qui se ferme en premier et laisse une cavité (void) à l'intérieur. Le HDP-CVD dépose avec un plasma de densité supérieure à 10¹¹ cm⁻³ tout en érodant obliquement le film aux angles de l'ouverture avec des ions, par exemple d'argon, attirés par la polarisation du substrat, ce qui permet un remplissage depuis le fond. Il a servi au remplissage des STI et des espaces entre interconnexions des générations 0,25 µm à 65 nm ; pour les tranchées plus étroites, on utilise notamment le CVD fluide.
Le HDP-CVD dépose avec un plasma de densité supérieure à 10¹¹ cm⁻³ tout en érodant obliquement le film aux angles de l'ouverture avec des ions, par exemple d'argon, attirés par la polarisation du substrat, ce qui permet un remplissage depuis le fond.
Pourquoi le CVD à plasma haute densité (HDP-CVD) a-t-il été…CVD Plasma STI (isolation par tranchées peu profondes) ALD Couverture de marche (step coverage) Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating) Dépôt sélectif par zone (area-selective deposition) Évaporation sous vide LPCVD (CVD basse pression)