Fine couche de Cu déposée par pulvérisation, etc., avant le remplissage du Cu par électrodéposition. Elle sert de couche conductrice pour le courant de dépôt.
Nom japonais: シード層
« Couche d'amorçage (seed layer) » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Procédés d'interconnexion, Dépôt (CVD et PVD), Packaging avancé (3D et chiplets).
Domaine: Procédés d'interconnexion
Réponse : B. Dépôt électrolytique
Dans le procédé damascène, une barrière (Ta/TaN, etc.) et une couche d'amorçage Cu de quelques nm à quelques dizaines de nm sont déposées par pulvérisation dans les tranchées, puis le Cu est déposé par électrolyse. Trois additifs, suppresseur, accélérateur et niveleur, sont ajoutés au bain pour faire croître le Cu préférentiellement depuis le fond de la tranchée (« remplissage bottom-up »), sans cavité (void). Le dépôt électrolytique produit rapidement et à faible coût des films épais à température ambiante et à pression atmosphérique ; c'est la méthode dominante pour les interconnexions en cuivre.
Réponse : B. Des tranchées sont formées dans l'isolant, remplies de Cu, et le Cu excédentaire est retiré par CMP
Dans le procédé damascène, on grave d'abord dans l'isolant des tranchées ayant la forme des interconnexions, on dépose par pulvérisation la couche barrière et la couche d'amorçage de Cu, puis on remplit de Cu par électrodéposition. Enfin, la CMP retire le Cu et la barrière excédentaires en surface, ne laissant les interconnexions que dans les tranchées. Le nom vient de l'art de la damasquinerie de l'ancienne Damas, qui consiste à incruster de l'or ou de l'argent dans des sillons gravés dans le métal. La méthode qui remplit en une fois tranchées et vias est appelée procédé double damascène.
Dans le procédé damascène, une barrière (Ta/TaN, etc.) et une couche d'amorçage Cu de quelques nm à quelques dizaines de nm sont déposées par pulvérisation dans les tranchées, puis le Cu est déposé par électrolyse.
Quelle méthode de dépôt est principalement utilisée pour re…Dans le procédé damascène, on grave d'abord dans l'isolant des tranchées ayant la forme des interconnexions, on dépose par pulvérisation la couche barrière et la couche d'amorçage de Cu, puis on remplit de Cu par électrodéposition.
Quelle description du procédé damascène, couramment utilisé…Dans le procédé double damascène, on forme dans l'isolant à la fois les trous de via et les tranchées par lithographie et gravure, puis on remplit l'ensemble par la couche barrière, la couche d'amorçage et l'électrodéposition de Cu, et on termine par une seule CMP.
Comment appelle-t-on la méthode qui remplit simultanément d…La couche barrière (TaN/Ta) étant très résistive, le dépôt n'y démarre pas uniformément ; on forme donc dessus par pulvérisation une fine couche d'amorçage de Cu de quelques dizaines de nm, puis on remplit de Cu par électrodéposition.
Quel est le rôle du film mince de Cu formé par pulvérisatio…Le remplissage ascendant (bottom-up) grâce aux additifs du bain d'électrodéposition et l'amélioration de la couche d'amorçage permettent un remplissage sans void.
Quel problème survient lorsque le remplissage en Cu est ins…Procédé damascène Dépôt électrolytique (électroplacage) CMP Procédé double damascène Via Électromigration Recuit Barrière métallique TSV (via traversant le silicium) Rapport d'aspect