Quel est le rôle du film mince de Cu formé par pulvérisation avant le remplissage du Cu par électrodéposition ?

Réponse : B. Une couche conductrice (couche d'amorçage) permettant le passage du courant d'électrodéposition

L'électrodéposition réduit et dépose les ions Cu en faisant passer un courant à la surface du wafer ; une couche conductrice continue jusqu'à la paroi intérieure des tranchées est donc nécessaire. La couche barrière (TaN/Ta) étant très résistive, le dépôt n'y démarre pas uniformément ; on forme donc dessus par pulvérisation une fine couche d'amorçage de Cu de quelques dizaines de nm, puis on remplit de Cu par électrodéposition. Dans les tranchées fines, concilier une épaisseur assez faible pour ne pas obstruer l'entrée et une continuité jusqu'au fond est difficile, et l'on utilise aussi des liners en ruthénium.