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Qu'est-ce que TXRF (fluorescence X en réflexion totale) ?

Méthode d'analyse où des rayons X frappent la plaquette en incidence rasante et sont totalement réfléchis, afin de mesurer avec une grande sensibilité la fluorescence X émise par les traces de contamination métallique en surface.

Nom japonais: TXRF(全反射蛍光X線分析)

« TXRF (fluorescence X en réflexion totale) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Métrologie et analyse, Plaquettes de silicium.

Domaine: Métrologie et analyse

S'entraîner : questions sur TXRF (fluorescence X en réflexion totale)

Quelle méthode de préparation, destinée à analyser avec une grande sensibilité la contamination métallique de surface des wafers, dissout l'oxyde de surface par des vapeurs d'acide fluorhydrique et le récupère dans une gouttelette avant analyse ?

  1. AMéthode des quatre pointes
  2. BObservation MEB
  3. CMéthode VPD (décomposition en phase vapeur)
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Réponse : C. Méthode VPD (décomposition en phase vapeur)

La méthode VPD décompose l'oxyde natif de surface du wafer par des vapeurs d'acide fluorhydrique, puis balaie la surface avec une petite gouttelette qui collecte les impuretés métalliques de surface. L'analyse de la solution récupérée par ICP-MS ou par fluorescence X en réflexion totale (TXRF) permet de mesurer la contamination métallique de toute la surface du wafer avec une sensibilité d'environ 10⁸ à 10⁹ atoms/cm². C'est une technique indispensable pour surveiller la contamination des équipements et des produits chimiques et évaluer les étapes de nettoyage.

Quelle méthode est couramment utilisée pour analyser les contaminations métalliques à l’état de traces à la surface des plaquettes ?

  1. ALa fluorescence X en réflexion totale (TXRF)
  2. BLa méthode des quatre pointes
  3. CL’ellipsométrie
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Réponse : A. La fluorescence X en réflexion totale (TXRF)

La TXRF envoie des rayons X sur la surface de la plaquette sous un angle rasant d’environ 0.1°, en réflexion totale, et mesure les rayons X de fluorescence émis par les atomes proches de la surface. Les rayons X ne pénétrant pas dans le volume, le signal du substrat est faible et des métaux à l’état de traces, de l’ordre de 10⁹ à 10¹⁰ atoms/cm², sont détectés de façon non destructive. Dissoudre l’oxyde de surface à la vapeur d’acide fluorhydrique et le concentrer en un point avant la mesure augmente encore la sensibilité. La méthode des quatre pointes et l’ellipsométrie ne révèlent pas la contamination.

« TXRF (fluorescence X en réflexion totale) » dans les explications

Questions mentionnant « TXRF (fluorescence X en réflexion totale) » (3)

  1. Quelle méthode de préparation, destinée à analyser avec une grande sensibilité la contamination métallique de surface des wafers, dissout l'oxyde de surface par des vapeurs d'acide fluorhydrique et le récupère dans une gouttelette avant analyse ?
  2. Quelle méthode est couramment utilisée pour analyser les contaminations métalliques à l’état de traces à la surface des plaquettes ?
  3. Quelle méthode d’analyse détecte la faible lumière émise par une zone défectueuse en fonctionnement afin de localiser les défaillances d’un LSI ?

Termes associés

Oxyde natif Méthode des quatre pointes Ellipsométrie Interconnexions multicouches AFM (microscope à force atomique) CD-SEM DRX (XRD, diffraction des rayons X) EDX (spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie) Équipement d'inspection des défauts FIB (faisceau d'ions focalisé)

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