Dunne oxidelaag van circa 1 nm die vanzelf ontstaat wanneer silicium met lucht of water in aanraking komt. Verhoogt de contactweerstand en hindert epitaxiale groei; daarom direct voor de betreffende stap verwijderd.
Japanse benaming: 自然酸化膜
“Natuurlijk oxide (native oxide)” komt voor in 6 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. CMP en reiniging, Epitaxiale groei, Oxidatie en diffusie.
Vakgebied: CMP en reiniging
Antwoord: B. Droge reiniging met gasvormige gassen en radicalen
Bij hoge, dunne patronen kan de oppervlaktespanning bij het drogen van de reinigingsvloeistof de patronen naar elkaar toe trekken en doen omvallen. Bij reiniging in de gasfase (droog) met onder meer waterstoffluoridedamp of radicalen uit een plasma van NF3 en NH3 (SiCoNi-behandeling) wordt geen vloeistof gebruikt, zodat geen zorg bestaat over instorten van patronen, en kan de wafer in vacuüm met depositieapparatuur worden verbonden en direct na de behandeling zonder oxidatie naar de volgende stap gaan. Het wordt gebruikt voor het verwijderen van oxide op de bodem van contacten.
Als op het oppervlak natuurlijk oxide (circa 1 nm) of verontreinigingen zoals koolstof achterblijven, groeit daarop geen goed monokristal en ontstaan bijvoorbeeld stapelfouten.
Wat is het belangrijkste doel van het verhitten van de wafe…In vergelijking met GeO2, dat in water oplost, en samengestelde halfgeleiders, waarvan geen goed natuurlijk oxide ontstaat, is dit goede MOS-grensvlak een grote kracht van silicium, en een van de redenen dat het sinds de praktische toepassing van de MOSFET rond 1960 als materiaal voor LSI is gekozen.
Welke is een juiste belangrijke reden dat silicium veel als…Het wordt gebruikt voor het patroneren van oxide, het verwijderen van natuurlijk oxide en voor de evaluatie van de filmkwaliteit.
Welke oplossing, een met ammoniumfluoride gebufferd fluorwa…Voor het verwijderen van metaalverontreiniging wordt SC-2 gebruikt en voor natuurlijk oxide verdund fluorwaterstofzuur.
Wat is het belangrijkste doel van SC-1 (mengsel van ammonia…Tot de verontreinigingen die door reiniging worden verwijderd behoren kleine deeltjes, metaalverontreiniging zoals ijzer, koper en natrium, organische stoffen die van resistresten of uit gassen in de lucht komen, ongewenst natuurlijk oxide en microruwheid van het oppervlak.
Welke combinatie van soorten verontreiniging op het waferop…SC-1 (APM) SC-2 (HPM) Verdund fluorwaterstofzuur (DHF) Plasma NF3 (stikstoftrifluoride) Numerieke apertuur (NA) Epitaxiale groei Thermische oxidatie Grensvlaktoestanden (interface traps) Gebufferd fluorwaterstofzuur (BHF)