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Oxydation et diffusion

Quelle plage de température est la plus proche de celle généralement utilisée pour l’oxydation thermique du silicium ?

  1. AEnviron 100 à 200 ℃
  2. BEnviron 800 à 1,200 ℃
  3. CEnviron 2,000 à 3,000 ℃
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Réponse : B. Environ 800 à 1,200 ℃

L’oxydation thermique du silicium se fait généralement vers 800 à 1,200 ℃, et elle est d’autant plus rapide que la température est élevée. Le point de fusion du silicium étant d’environ 1,414 ℃, ces températures sont bien inférieures. Même à température ambiante, un oxyde natif d’environ 1 nm se forme rapidement à la surface du silicium, mais il ne croît pratiquement pas au-delà. Les procédés avancés oxydent de plus en plus à plus basse température, par exemple par oxydation radicalaire, pour limiter le budget thermique.

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