Quel gaz est utilisé comme gaz porteur ou atmosphère réductrice lors de la croissance épitaxiale et des traitements thermiques ?

Réponse : B. L'hydrogène (H2)

L'hydrogène sert de gaz porteur transportant les précurseurs de la croissance épitaxiale, et d'atmosphère réductrice éliminant à haute température l'oxyde natif de surface avant la croissance. Le recuit sous forming gas, de l'hydrogène à quelques % dilué dans l'azote, passive par l'hydrogène les liaisons pendantes de l'interface Si/SiO2 et réduit les états d'interface. Au-delà d'environ 4 % dans l'air, il présente un risque d'explosion et s'utilise sous détection de fuite. L'ozone et le chlore sont des gaz oxydants.