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Plaquettes de silicium

Quelle méthode de préparation, destinée à analyser avec une grande sensibilité la contamination métallique de surface des wafers, dissout l'oxyde de surface par des vapeurs d'acide fluorhydrique et le récupère dans une gouttelette avant analyse ?

  1. AMéthode des quatre pointes
  2. BObservation MEB
  3. CMéthode VPD (décomposition en phase vapeur)
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Réponse : C. Méthode VPD (décomposition en phase vapeur)

La méthode VPD décompose l'oxyde natif de surface du wafer par des vapeurs d'acide fluorhydrique, puis balaie la surface avec une petite gouttelette qui collecte les impuretés métalliques de surface. L'analyse de la solution récupérée par ICP-MS ou par fluorescence X en réflexion totale (TXRF) permet de mesurer la contamination métallique de toute la surface du wafer avec une sensibilité d'environ 10⁸ à 10⁹ atoms/cm². C'est une technique indispensable pour surveiller la contamination des équipements et des produits chimiques et évaluer les étapes de nettoyage.

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