CMP et nettoyage

Quelle définition du CMP (polissage mécano-chimique) est correcte ?

  1. AIl combine l'action chimique de la suspension (slurry) et le polissage mécanique du tampon pour aplanir la surface
  2. BIl aplanit la surface en l'érodant avec les ions d'un plasma
  3. CIl aplanit la surface en la faisant fondre à haute température
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Il combine l'action chimique de la suspension (slurry) et le polissage mécanique du tampon pour aplanir la surface

Le CMP polit la plaquette en la pressant contre un tampon de polissage en rotation, tout en apportant une suspension (slurry) contenant des particules abrasives et des réactifs. La réaction chimique transforme la surface en une couche tendre, que les particules et le tampon éliminent mécaniquement ; on obtient ainsi à la fois une vitesse et une planéité inaccessibles par voie purement chimique ou purement mécanique. Développé chez IBM dans les années 1980, il élimine des marches de quelques dizaines de nm sur toute la plaquette et est indispensable aux interconnexions multicouches et en cuivre.

Structure d'un équipement CMP et principe de planarisation Force d'appui Tête de polissage Plaquette retournée Plateau Rotation Rotation Arrivée de slurry Conditionneur de pad Pad de polissage Principe de planarisation Reliefs plus pressés → polis d'abord Toute la plaquette devient plane
Structure d'un équipement CMP et principe de planarisation · Voir dans les schémas
S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur CMP et nettoyage

  1. Quel est le principal objectif du SC-1 (mélange ammoniaque-peroxyde d'hydrogène) utilisé dans le nettoyage RCA ?
  2. Quelle description du « dishing » survenant en CMP est correcte ?
  3. Quel est le principal objectif du nettoyage à l'acide fluorhydrique dilué (DHF) ?
  4. Quelle définition de la suspension (slurry) utilisée en CMP est correcte ?
  5. Quel est le principal objectif du nettoyage par mélange acide sulfurique-peroxyde d'hydrogène (SPM) ?