什麼是固溶度

在某溫度下,雜質能溶入晶體中的最大濃度。決定了可被電活化之摻雜濃度的上限。

日文名稱: 固溶度

「固溶度」出現在1領域的2道練習題中(氧化與擴散等)。

這個名詞所屬的領域: 離子佈植

練習固溶度的題目

在矽中的熱處理擴散相對較慢、容易形成淺接面的 n 型雜質是哪一個?

  1. A硼(B)
  2. B磷(P)
  3. C砷(As)
查看答案與解析

正確答案:C. 砷(As)

在 n 型雜質中,砷的原子比磷大、擴散係數小,質量為 75,是磷(31)的兩倍以上,因此在離子佈植時也只會淺淺地打入。此外,其固溶度高,可達到高濃度,因此被用於要求淺、陡峭、低電阻接面的 nMOS 源極、汲極與延伸區。磷擴散快,用於深井區,近年也作為磊晶的 SiP 使用。硼則是 p 型。

SiO2 膜可用作硼或磷擴散的遮罩,卻難以作為鎵或鋁的遮罩,其原因何者正確?

  1. A因為 SiO2 與鎵或鋁反應而變成導體
  2. B因為鎵或鋁在 SiO2 中的擴散非常快
  3. C因為鎵或鋁在矽中電性不活化
查看答案與解析

正確答案:B. 因為鎵或鋁在 SiO2 中的擴散非常快

硼和磷在 SiO2 中的擴散比在矽中慢得多,因此能被氧化層阻擋。另一方面,鎵和鋁會在 SiO2 中快速擴散,因此不適合以氧化層為遮罩進行選擇性擴散。鋁的固溶度也低,且在深處的擴散很快,所以有時用於功率元件的深接面。這也是矽的 p 型雜質主要使用硼的原因之一。

解析中的「固溶度」

出現「固溶度」的題目(2題)

  1. 在矽中的熱處理擴散相對較慢、容易形成淺接面的 n 型雜質是哪一個?
  2. SiO2 膜可用作硼或磷擴散的遮罩,卻難以作為鎵或鋁的遮罩,其原因何者正確?

相關名詞

離子佈植 尖峰退火 佈植劑量 投影射程 法拉第杯 退火 逆向摻雜井 通道效應(Channeling) 暈環佈植(口袋佈植) 雷射退火

前往名詞解釋列表