氧化與擴散

在熱擴散中,表面雜質濃度維持固定的擴散(定表面濃度擴散)與擴散固定量雜質的情況(有限量擴散),兩者分布形狀的組合,下列何者正確?

  1. A定表面濃度:互補誤差函數(erfc)分布,有限量:高斯分布
  2. B兩者皆為直線狀分布
  3. C定表面濃度:高斯分布,有限量:互補誤差函數分布
查看答案與解析

正確答案:A. 定表面濃度:互補誤差函數(erfc)分布,有限量:高斯分布

在維持表面濃度固定的預沉積中,分布呈互補誤差函數(erfc)形狀,且導入量會隨時間增加。在將已導入的固定量雜質推入的驅入中,總量保持不變而擴散開來,表面濃度下降,形成高斯分布的形狀。將這兩者組合,就能分別調整表面濃度與接面深度。實際的高濃度擴散,則會偏離這些理想形狀。

  • A. 正確。定表面濃度為 erfc,有限量為高斯分布。
  • B. 擴散的分布不會呈直線。
  • C. 組合顛倒了。
練習這個領域 前往領域頁面

氧化與擴散的其他題目

  1. 在熱擴散中將磷導入矽時,一直被用作液態擴散源的化合物是哪一個?
  2. MOS 結構的氧化層及其介面中的電荷種類,一般的分類組合為何?
  3. 在 Deal-Grove 模型中,熱氧化初期(氧化層仍薄時)的氧化層厚度與時間的關係,下列何者正確?
  4. 對於用於 LOCOS 等元件隔離的場氧化層,與 MOSFET 的閘極氧化層,兩者厚度的關係一般何者正確?
  5. PN 接面的「接面深度」,一般的定義為何者正確?