在CMOS的井區形成中，利用高能量離子佈植使比表面更深處的雜質濃度較高的井區，稱為什麼？

正確答案：A. 逆向摻雜井（retrograde well）

逆向摻雜井是以數百keV～MeV等級的高能量佈植，在深處形成濃度峰值的井區。表面濃度配合電晶體特性維持在較低，同時使深處為高濃度，可抑制貫穿與閂鎖（寄生閘流體的動作）。也具有不像以往的擴散井需要在1000 ℃以上進行數小時熱擴散的優點，可大幅減少熱預算與製程時間。