離子佈植

與熱擴散相比,離子佈植的主要優點為下列何者?

  1. A可在低溫處理,並能精確控制劑量與深度
  2. B可進行高溫長時間處理
  3. C完全不會對晶體造成損傷
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正確答案:A. 可在低溫處理,並能精確控制劑量與深度

離子佈植可在室溫附近進行,因此能以光阻作為遮罩,佈植量可藉由累計束電流管理在約±1%的精度。深度也能以能量獨立控制,可處理10¹¹~10¹⁶ cm⁻²的寬廣劑量範圍。熱擴散中表面濃度與深度相互連動,且因高溫而需要氧化膜遮罩。另一方面,離子佈植會對晶體造成損傷,因此佈植後需要退火。

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