近來DRAM的單元電晶體採用將閘極電極埋入矽基板溝槽中的結構（埋入式字元線），其主要目的是下列何者？

正確答案：B. 為了拉長有效通道長度以抑制漏電流，同時縮小單元

DRAM的單元電晶體需要極小的漏電流（fA等級），才能將電容的電荷保持64 ms以上。將閘極埋入溝槽後，即使平面上的尺寸很小，通道也會沿著溝槽變長，能抑制短通道效應造成的漏電。埋入式字元線（BCAT）自2010年前後成為主流，還有可降低字元線與上方佈線之間電容的優點。