在不改變閘極絕緣膜的材料與面積的情況下，只將膜厚變薄，單位面積的閘極電容會如何變化？

正確答案：A. 變大

閘極電容可視為平行板電容器，單位面積的電容為 Cox = ε/t。膜厚變薄則電容變大，在相同閘極電壓下通道中感應的電荷增加，驅動電流隨之增加，也能抑制短通道效應。然而當SiO2薄化至約1.2 nm時，穿隧電流造成的閘極漏電已達極限，因此自45 nm世代起改用可在物理上加厚的HfO2系High-k材料。