關於MOSFET的LDD（Lightly Doped Drain，輕摻雜汲極）結構的目的，下列何者正確？

正確答案：B. 降低汲極端的雜質濃度以緩和電場，抑制熱載子造成的劣化

在汲極附近電場很強，具有高能量的熱載子會被注入閘極絕緣膜或產生界面態，造成臨界電壓變動與電流下降。LDD結構利用閘極側壁（間隔物），在汲極的通道側形成低濃度的淺區域，降低峰值電場以抑制劣化。現在主流是同時兼具抑制短通道效應的延伸區（高濃度淺接面）。