氧化與擴散
PN 接面的「接面深度」，一般的定義為何者正確？
- A從表面到雜質濃度最大位置的深度
- B擴散後的雜質濃度與基板原有的雜質濃度相等的深度
- C晶圓厚度一半的深度
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正確答案：B. 擴散後的雜質濃度與基板原有的雜質濃度相等的深度
從表面導入的雜質，濃度隨深度增加而下降，在某個深度會與基板原有的相反導電型雜質濃度相等。在此深度淨雜質濃度為 0，導電型互換，故稱為接面深度。在微細電晶體的源極、汲極延伸區，要求 10～20 nm 左右的淺接面，這對抑制短通道效應很重要。
- A. 濃度最大的位置不是接面深度。
- B. 正確。是導入的雜質與基板的濃度相等的深度。
- C. 與晶圓的厚度無關。