先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於完全空乏型 SOI（FD-SOI）電晶體之優點，何者正確？
- A可將矽層加厚，並摻入大量雜質
- B不再需要閘極電極
- C通道的雜質可以減少，能抑制臨界電壓的變異，並容易以基板偏壓調整臨界電壓
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正確答案：C. 通道的雜質可以減少，能抑制臨界電壓的變異，並容易以基板偏壓調整臨界電壓
在 FD-SOI 中，厚度約 5～7 nm 的極薄矽層整體都會空乏，因此即使不在通道中摻入雜質也能抑制短通道效應，並減少隨機摻雜物波動所造成的變異。再者，若透過薄的埋入氧化膜（約 20 nm）從基板側施加電壓，就能動態改變臨界電壓，用於低電壓、低功耗的 IoT、車用與 RF 用途。