在矽光電路中，鍺（Ge）被廣泛用於通訊波長光偵測器的理由，下列何者正確？

正確答案：B. 因為能吸收1.31 µm波段與1.55 µm波段的光，且能在矽上進行晶體成長，容易在CMOS工廠整合

矽無法吸收波長長於約1.1 µm的光，因此通訊波長的光接收需要能吸收更低能量光的材料。Ge雖是間接躍遷型，但其直接躍遷的能隙約0.8 eV，相當接近，能強烈吸收到1.55 µm附近。與Si同為IV族，能在Si上選擇性磊晶成長，並可用CMOS工廠的設備處理，是一大優點。InGaAs光偵測器性能雖高，但很難直接製作在矽上。Ge的能隙（約0.66 eV）比Si小，暗電流反而偏大。