什麼是SADP(自對準雙重圖案化)

在作為核心的圖案側壁上形成膜(間隔物)，去除核心後以間隔物作為遮罩，製作出微影極限一半間距的技術。重複兩次的稱為SAQP。

日文名稱: SADP(自己整合ダブルパターニング)

「SADP(自對準雙重圖案化)」出現在1領域的1道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）

練習SADP(自對準雙重圖案化)的題目

用於製作 FinFET 細鰭片，利用側壁間隔物形成比微影極限更細之圖案的技術是哪一個？

  1. ASADP/SAQP（自對準雙重/四重圖案化）
  2. BOPC
  3. CCMP
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正確答案：A. SADP/SAQP（自對準雙重/四重圖案化）

在 SADP 中，於作為核心的圖案側壁以 ALD 等方式附著均勻的膜以形成間隔物，再移除核心，就能製作出密度為原本兩倍的線條。SAQP 則將此步驟重複兩次，使密度成為四倍。線寬由膜厚而非曝光決定，因此變異小，可形成比 ArF 浸潤式曝光極限（節距約 80 nm）更細的鰭片與配線。即使在 EUV 曝光中，最細的節距也會搭配使用。

解析中的「SADP(自對準雙重圖案化)」

出現「SADP(自對準雙重圖案化)」的題目（1題）

  1. 用於製作 FinFET 細鰭片，利用側壁間隔物形成比微影極限更細之圖案的技術是哪一個？

相關名詞

FinFET(鰭式場效電晶體) ALD(原子層沉積) 奈米片 後閘極製程(取代式金屬閘極) 隨機摻雜物波動(RDF) CFET(互補式場效電晶體) DTCO(設計與技術協同最佳化) EOT(等效氧化層厚度) FD-SOI(全空乏型SOI) GAA(環繞式閘極)

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