什麼是OPC(光學鄰近效應修正)
預先預估光的繞射等造成的圖案變形，而事先修正光罩圖案的技術。
日文名稱: OPC(光学近接効果補正)
「OPC(光學鄰近效應修正)」出現在2領域的11道練習題中（微影, LSI設計流程與EDA等）。
這個名詞所屬的領域: 微影
練習OPC(光學鄰近效應修正)的題目
關於OPC（光學鄰近效應修正）的說明，下列何者正確？
- A將光阻塗厚以提高解析度
- B清洗光罩以去除異物
- C事先修正光罩圖案，以縮小轉印後形狀的偏差
解析中的「OPC(光學鄰近效應修正)」
OPC會藉由模擬預先估算這些變形，在光罩圖案的邊緣加上錘頭（hammerhead）、襯線（serif）等輔助圖形，或精細調整尺寸。
關於OPC（光學鄰近效應修正）的說明，下列何者正確？先進光罩則使用同時運用數十萬道電子束的多束描繪機，高速描繪OPC與曲線圖案。
主要用來描繪光罩（倍縮光罩）圖案的設備是下列何者？1990年代約在0.6上下，之後藉由離軸照明、相位移光罩、OPC等解析度增強技術，即使在量產中也已降到0.27～0.3左右。
關於解析度公式 R = k1 × λ / NA 中係數k1的說明，下列何者正確？OPC與照明條件的最佳化，主要就是為了擴大它而進行的。
即使改變曝光量與對焦，圖案尺寸仍能維持在容許範圍內的條件範圍，稱為什麼？SMO（Source Mask Optimization）是以電腦一併最佳化曝光機的照明形狀（光瞳面上的光源分布）與包含OPC在內的光罩圖案，藉此擴大製程窗口的技術。
以電腦同時最佳化曝光機的照明形狀與光罩圖案，藉此提高解析度的技術是下列何者？
出現「OPC(光學鄰近效應修正)」的題目（11題）
- 關於OPC（光學鄰近效應修正）的說明，下列何者正確？
- 主要用來描繪光罩（倍縮光罩）圖案的設備是下列何者？
- 關於解析度公式 R = k1 × λ / NA 中係數k1的說明，下列何者正確？
- 即使改變曝光量與對焦，圖案尺寸仍能維持在容許範圍內的條件範圍，稱為什麼？
- 以電腦同時最佳化曝光機的照明形狀與光罩圖案，藉此提高解析度的技術是下列何者？
- EUV曝光中成為問題的「眩光（flare）」，其主要原因下列何者正確？
- 在EUV光罩中，吸收體圖案的厚度相對於波長已不可忽略，斜向入射的光會形成陰影等而影響影像，這種現象稱為什麼？
- 在設計好的佈局中，經曝光與加工的模擬後，被預測圖案容易相連或斷開的脆弱位置稱為什麼？
- 為了製作光罩而交付給製造方的佈局資料，代表性的格式為下列何者？
- 在使用SystemVerilog的驗證中，用來建構容易重複使用之測試環境（測試平台，testbench）的標準方法論為下列何者？
- 在佈局驗證中，檢查輸入端子是否浮接（沒有連到任何地方）、電源之間是否短路等電氣連接錯誤的檢查為下列何者？
相關名詞
光罩(Reticle) 光阻 製程窗口 數值孔徑(NA) 相位移光罩 GPU Verilog SPICE SystemVerilog 測試平台（Testbench）