什麼是製程窗口

即使改變曝光劑量與對焦，圖案尺寸仍落在容許範圍內的條件範圍。範圍越寬，對製造變異的耐受性越強。

日文名稱: プロセスウィンドウ

「製程窗口」出現在1領域的3道練習題中（微影等）。

這個名詞所屬的領域: 微影

練習製程窗口的題目

關於解析度公式 R = k1 × λ / NA 中係數k1的說明，下列何者正確？

  1. A是表示製程難度的係數，一次曝光的理論下限為0.25
  2. B愈大，解析度愈高
  3. C數值永遠在1以上
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正確答案：A. 是表示製程難度的係數，一次曝光的理論下限為0.25

k1是綜合表示光阻性能、光罩的巧思與照明條件等整體實力的係數，愈小愈能解析細微圖案，但製程窗口也會變窄而更困難。以一次曝光解析週期性圖案（線與間隔）的理論下限為0.25。1990年代約在0.6上下，之後藉由離軸照明、相位移光罩、OPC等解析度增強技術，即使在量產中也已降到0.27～0.3左右。

即使改變曝光量與對焦，圖案尺寸仍能維持在容許範圍內的條件範圍，稱為什麼？

  1. A製程窗口
  2. B疊對
  3. C線邊緣粗糙度
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正確答案：A. 製程窗口

製程窗口是指即使改變曝光量與對焦，圖案尺寸仍能落在容許範圍（例如目標值的±10%）內的範圍，以縱軸為曝光量、橫軸為對焦的圖（ED-window）來表示。在量產中，機台的變異、晶圓的凹凸與光阻厚度的變化會使曝光量與對焦產生波動，因此窗口愈寬，愈能穩定製造。OPC與照明條件的最佳化，主要就是為了擴大它而進行的。

解析中的「製程窗口」

出現「製程窗口」的題目（3題）

  1. 關於解析度公式 R = k1 × λ / NA 中係數k1的說明，下列何者正確？
  2. 即使改變曝光量與對焦，圖案尺寸仍能維持在容許範圍內的條件範圍，稱為什麼？
  3. 以電腦同時最佳化曝光機的照明形狀與光罩圖案，藉此提高解析度的技術是下列何者？

相關名詞

OPC(光學鄰近效應修正) 光阻 光罩(Reticle) 數值孔徑(NA) 相位移光罩 GPU 化學放大型光阻 正型光阻 光罩護膜 多重圖案化

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