什麼是導向自組裝(DSA)
利用嵌段共聚物會自然形成規則微細圖樣的性質，以微影製作的導引圖案對齊其位置與方向，做出比解析極限更細之圖案的技術。把缺陷降到極低是量產的課題。
日文名稱: 誘導自己組織化(DSA)
「導向自組裝(DSA)」出現在1領域的3道練習題中（微影等）。
這個名詞所屬的領域: 微影
嵌段共聚物的相分離
嵌段共聚物是把兩種性質不同的高分子鏈（嵌段）在末端連接起來的材料。代表性的PS-b-PMMA由聚苯乙烯（PS）與聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）組成。兩種嵌段不願混合，但因為彼此相連而無法分離太遠，經熱處理後會自然形成週期由分子長度決定的條紋（層狀）或圓柱圖樣。週期可由分子量調整，範圍從數nm到數十nm。
以導引圖案對齊排列
放任不管時圖樣的方向是雜亂的，因此以微影製作的導引圖案來決定排列的位置與方向。導引方式有把材料限制在溝槽中的圖形磊晶（graphoepitaxy），以及把表面化學性質做成條紋狀的化學磊晶（chemoepitaxy）。若導引圖案的週期是自組裝週期的整數倍，導引之間就會被更細的條紋填滿，使圖案週期變細。也可利用圓柱圖樣製作位置與大小變異經過修整的接觸孔。
χ參數與缺陷
兩種嵌段想要分離的強度以χ（chi）參數表示，χ越大，即使週期更細也能分離得很乾淨。PS-b-PMMA的χ較小，實用的間距下限約為20 nm，因此為了更細的間距，正在開發χ較大的材料。量產上最大的問題是缺陷：必須把條紋中途錯位的差排等缺陷降到半導體量產所需的極低密度，並以檢測確認。
與EUV微影的結合
進入2020年代後，DSA與EUV微影結合的用法受到關注。EUV因光子數少而產生隨機變異（stochastics），使線寬與線邊緣粗糙度出現變異。以EUV製作的圖案作為導引進行自組裝，可望把圖案修整成由材料決定的規則週期，降低變異。imec與英特爾等自2020年代前半起，陸續報告結合EUV與DSA的圖案化成果。
練習導向自組裝(DSA)的題目
在導向自組裝（DSA）中，主要決定嵌段共聚物自然形成之條紋週期的是下列何者？
- A嵌段共聚物的分子長度（分子量）
- B曝光機的光波長
- C光阻的顯影時間
查看答案與解析
正確答案：A. 嵌段共聚物的分子長度（分子量）
嵌段共聚物是把兩種不同高分子鏈在末端連接的材料。經熱處理後，兩種嵌段想要分離，卻因彼此相連而無法分離太遠，於是形成週期由分子長度決定的圖樣。週期可由分子量調整，能做到多細則取決於表示分離強度的χ參數。導向自組裝（DSA）是以微影製作的導引圖案來對齊圖樣的位置與方向。
將導向自組裝（DSA）與EUV微影結合時，期待的效果下列何者正確？
- A不再需要EUV光罩
- B光阻靈敏度提高，因此不再需要EUV光源的輸出功率
- C以EUV製作的圖案作為導引，把圖案修整成規則週期，降低隨機變異造成的線寬與粗糙度變異
常見問題
導向自組裝的「導向」指的是什麼？
指以微影製作的溝槽或化學圖案等導引，對齊嵌段共聚物所形成圖樣的位置與方向。沒有導引時，圖樣雖然規則，方向卻是雜亂的。
DSA做出的圖案尺寸由什麼決定？
主要由嵌段共聚物的分子長度（分子量）決定。能做到多細，則取決於表示兩種嵌段分離強度的χ參數。
DSA與EUV微影是什麼關係？
兩者不只是競爭關係，也可以結合使用。以EUV製作的圖案為導引，再以DSA修整，可降低EUV隨機變異造成的線寬與粗糙度變異，目前正在研究這種用法。
解析中的「導向自組裝(DSA)」
導向自組裝（DSA）是以微影製作的導引圖案來對齊圖樣的位置與方向。
在導向自組裝（DSA）中，主要決定嵌段共聚物自然形成之條紋週期的是下列何者？導向自組裝（DSA）中嵌段共聚物圖樣的週期由材料決定，因此以EUV製作的圖案為導引進行自組裝，可望修整這些變異。
將導向自組裝（DSA）與EUV微影結合時，期待的效果下列何者正確？DSA是以微影製作的導引圖案來控制排列的位置與方向，製作出比解析極限更細的圖案的技術。
利用嵌段共聚物會自然形成規則的微細圖案這項性質的圖案形成技術是下列何者？
出現「導向自組裝(DSA)」的題目（3題）
相關名詞
EUV微影 線邊緣粗糙度(LER) 化學放大型光阻 正型光阻 光阻 光罩(Reticle) 光罩護膜 多重圖案化 抗反射底層膜(BARC) 奈米壓印微影