什麼是電流增益(hFE)
雙載子電晶體的集極電流與基極電流之比(IC/IB)。
日文名稱: 電流増幅率(hFE)
「電流增益(hFE)」出現在1領域的22道練習題中(雙載子電晶體等)。
這個名詞所屬的領域: 雙載子電晶體
雙載子電晶體的集極電流與基極電流之比(IC/IB)。
日文名稱: 電流増幅率(hFE)
「電流增益(hFE)」出現在1領域的22道練習題中(雙載子電晶體等)。
這個名詞所屬的領域: 雙載子電晶體
正確答案:B. IC / IB
hFE是共射極的直流電流增益,hFE = IC/IB。小訊號電晶體一般為數十至數百,功率電晶體一般約為數十。即使是相同型號,個體差異也很大(例如依100〜400分級),而且會隨溫度與電流變化,因此電路設計的基本原則是不依賴hFE的數值就能正常工作。共基極的電流增益α為 IC/IE,是略小於1的值。
正確答案:C. 99
α與β之間有 β = α/(1 − α) 的關係,α = 0.99 時 β = 0.99 ÷ 0.01 = 99。反過來,α = β/(1 + β)。若α = 0.995則β = 199,α只要稍微更接近1,β就會大幅改變。射極電流中在基極損失的比例(1 − α)為1%,代表基極電流約為集極電流的1/99,如何減少基極的損失是設計的關鍵。
hFE是共射極的直流電流增益,hFE = IC/IB。
表示雙極性電晶體直流電流增益hFE的算式是哪一個?(IC:集極電流、IB:基極電流、IE:射極電流)矽電晶體的hFE一般會隨溫度上升而增加,約為每1 ℃增加0.5〜1%。
矽雙極性電晶體的電流增益hFE,一般而言溫度上升時會如何?在主動區 IC = hFE × IB,所以 100 × 10 µA = 1,000 µA = 1 mA。
對直流電流增益hFE = 100的電晶體施加10 μA的基極電流時,在主動區的集極電流大約是多少?hFE是直流下集極電流與基極電流的比 IC/IB,hfe是工作點附近微小變化量的比 ΔIC/ΔIB。
直流電流增益hFE與小訊號電流增益hfe的差異,下列何者正確?在小電流時,空乏區的復合電流(與exp(qV/2kT)成正比)在基極電流中所占的比例變大,使hFE下降。
雙極性電晶體的電流增益hFE對集極電流的相依性,下列何者正確?飽和區 負回授 主動區 截止區 順向偏壓 HBT(異質接面雙載子電晶體) 射極隨耦器 擴散長度 貫穿(Punch-through) 能隙