氧化與擴散
在閘極氧化層中導入氮而形成氮氧化膜（SiON）的主要目的為何？
- A抑制來自閘極電極的硼穿透，提高可靠度
- B使薄膜具有導電性
- C加快蝕刻速率
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正確答案：A. 抑制來自閘極電極的硼穿透，提高可靠度
p+ 多晶矽閘極中的硼，會在熱處理時穿透厚度約 2 nm 的薄閘極氧化層進入通道，使臨界電壓變動。導入氮可抑制硼的擴散，且相對介電常數會從 3.9 提高到 5～6 左右，因此在相同的 EOT 下可做得物理上更厚，漏電也減少。對熱載子的耐受性等可靠度也隨之提升，在 High-k 之前的世代是標準作法。