MOSFET
在閘極絕緣膜非常薄的MOSFET中，反轉層電子分布的峰值位於離界面稍遠的位置，所造成的影響，下列何者正確？
- A臨界電壓變為零
- B閘極絕緣膜在有效上看起來變厚，閘極電容（驅動力）減少
- C閘極絕緣膜在有效上看起來變薄，閘極電容增加
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正確答案：B. 閘極絕緣膜在有效上看起來變厚，閘極電容（驅動力）減少
反轉層的電子因界面的強電場而被限制在狹窄的位能井中，由於量子力學效應，分布的峰值不在緊貼界面處，而是在往內約1 nm處。電荷的中心遠離界面，產生等同於絕緣膜以SiO2換算厚了約0.3～0.4 nm的效果，使閘極電容與驅動電流減少。連同多晶矽空乏，這是比物理膜厚更大的「電性膜厚（CET）」的成因，EOT越薄，所占比重越大。
- A. 這個效應不會使臨界電壓變為零。
- B. 正確。有效絕緣膜厚度增加，電容減少。
- C. 由於電荷的中心遠離界面，絕緣膜看起來會變厚。