先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於 EOT（等效氧化層厚度）的說明，何者正確？
- A將 High-k 膜等閘極絕緣膜換算成提供相同閘極電容之 SiO2 膜厚度的值
- B閘極絕緣膜實際的實體膜厚
- C配線層的厚度
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正確答案：A. 將 High-k 膜等閘極絕緣膜換算成提供相同閘極電容之 SiO2 膜厚度的值
EOT 是將閘極絕緣膜的電容換算成以 SiO2（相對介電常數 3.9）實現時的膜厚，EOT = 實體膜厚 × 3.9/ε。若為相對介電常數 20 的 High-k 膜，實體膜厚約 5 nm 即相當於 EOT 1 nm。先進產品含界面層的 EOT 約為 0.8～1 nm。實際的電性厚度還會加上反轉層的量子效應等造成的部分，因此量測值（CET）會比 EOT 稍大。