什麼是反轉層

因閘極電壓使與原本型態相反的載子聚集在半導體表面而形成的層。成為 MOSFET 的通道。

日文名稱: 反転層

「反轉層」出現在1領域的1道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: MOSFET

練習反轉層的題目

下列關於 EOT（等效氧化層厚度）的說明，何者正確？

  1. A將 High-k 膜等閘極絕緣膜換算成提供相同閘極電容之 SiO2 膜厚度的值
  2. B閘極絕緣膜實際的實體膜厚
  3. C配線層的厚度
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正確答案：A. 將 High-k 膜等閘極絕緣膜換算成提供相同閘極電容之 SiO2 膜厚度的值

EOT 是將閘極絕緣膜的電容換算成以 SiO2（相對介電常數 3.9）實現時的膜厚，EOT = 實體膜厚 × 3.9/ε。若為相對介電常數 20 的 High-k 膜，實體膜厚約 5 nm 即相當於 EOT 1 nm。先進產品含界面層的 EOT 約為 0.8～1 nm。實際的電性厚度還會加上反轉層的量子效應等造成的部分，因此量測值（CET）會比 EOT 稍大。

解析中的「反轉層」

出現「反轉層」的題目（1題）

  1. 下列關於 EOT（等效氧化層厚度）的說明，何者正確？

相關名詞

EOT(等效氧化層厚度) 平帶電壓 次臨界擺幅 基板偏壓效應 貫穿(Punch-through) 貫穿電流 通道長度調變 速度飽和 短通道效應 傳輸閘

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