氧化與擴散 在薄閘極氧化層的表面，導入以電漿產生之氮的處理稱為什麼？ A驅入 BCMP C電漿氮化 查看答案與解析 正確答案：C. 電漿氮化 電漿氮化是將氮電漿產生的活性氮，在數百 ℃ 左右的較低溫度下導入氧化層的表面附近，形成含氮約 10～20% 的氮氧化膜（SiON）。由於可將氮集中在表面側，因此不會損及 Si/SiO2 介面的特性（遷移率等），即可抑制硼穿透、提高介電常數並使 EOT 變薄。而在熱氮化（NO、N2O 退火）中，氮則會聚集在介面。