氧化與擴散
以乾式氧化製作厚度數十 nm 以下的薄氧化層時，已知會偏離 Deal-Grove 模型的是何者？
- A初期的氧化比模型預測進行得更快
- B完全不會氧化
- C氧化層變成導體
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正確答案：A. 初期的氧化比模型預測進行得更快
Deal-Grove 模型能很好地描述厚氧化層的成長，但在乾式氧化中膜厚數十 nm 以下的初期區域，實際的氧化比模型預測進行得更快。認為原因可能是氧化劑通過薄膜的其他路徑，以及介面附近應力的影響等。模型將這一部分以初始膜厚（τ，相當於約 20 nm）加以修正，但要決定數 nm 閘極氧化層的厚度，仍必須透過實測來訂定條件。
- A. 正確。在初期的薄膜區域，氧化比模型進行得更快。
- B. 氧化是會進行的。
- C. SiO2 是絕緣體，不會變成導體。